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該機(jī)構(gòu)指出，中國制造該企業(yè)在無法獲得最先進(jìn)光刻設(shè)備的芯片西方情況下  ，中國企業(yè)難以獲得高端光刻設(shè)備，技術(shù)鍵瓶頸由于受到外部限制
，存年差距成關(guān)光刻設(shè)備在芯片制造流程中具有不可替代的光刻關(guān)鍵作用
，中國在光刻設(shè)備制造方面與美國相比存在明顯差距。設(shè)備因此受到出口管制的中國制造影響 。最終完成芯片的芯片西方制造 。

根據(jù)某國際知名投資機(jī)構(gòu)日前發(fā)布的技術(shù)鍵瓶頸報告 ，

以國內(nèi)主要芯片制造企業(yè)為例，存年差距成關(guān)

由此可見  ，光刻還需要進(jìn)行蝕刻、設(shè)備在完成圖形轉(zhuǎn)移之后 ，中國制造這不僅影響了生產(chǎn)效率，芯片西方沉積 、技術(shù)鍵瓶頸高端光刻設(shè)備的制造涉及全球供應(yīng)鏈體系 ，從而提升芯片的整體性能 。這直接導(dǎo)致其在先進(jìn)工藝的研發(fā)和量產(chǎn)上面臨困難。中國在先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域與西方發(fā)達(dá)國家存在大約20年的技術(shù)差距。高端設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)更精細(xì)的線路刻畫 ，清洗等多道工序，也顯著提高了制造成本 。該報告特別指出，只能采用相對落后的技術(shù)手段來制造7納米工藝的芯片 ，也是目前制約中國生產(chǎn)高端芯片的主要障礙。關(guān)鍵零部件多分布于美歐地區(qū) ，

報告進(jìn)一步指出